{* *}
0 ₽.
в т.ч. НДС 20%:
0
| Общие характеристики | |
| Тип | DDR4 |
| Форм-фактор | SO-DIMM |
| Количество контактов | 260 |
| Тактовая частота | 2666 МГц |
| Пропускная способность | 21300 Мб/с |
| Количество модулей в комплекте | 1 |
| Объем одного модуля | 8 Гб |
| Буферизованная (Registered) | Нет |
| Низкопрофильная (Low Profile) | Нет |
| Тайминги | |
| CAS Latency (CL) | 19 |
| RAS to CAS Delay (tRCD) | 19 |
| Row Precharge Delay (tRP) | 19 |
| Дополнительно | |
| Напряжение питания | 1.2 В |
| Количество ранков | 1 |
Память 8GB Silicon Power SP008GBSFU266B02 DDR4, 2666 MHz, 21300 Мб/с, CL19, 1.2 В (SO-DIMM)